내 프로젝트에 atxmega256a3bu 마이크로 컨트롤러를 사용하고 있습니다. 코드를 컴파일하고 프로그래밍 한 것처럼 프로그램 아키텍처를 만들고 싶습니다. 이제는 일부 API 만 변경하고 다시 프로그래밍 할 수 있습니다. 보드의 다른 부분은 변경되지 않아야하며 새로 컴파일 된 API는 이미 플래시에 프로그래밍 된 나머지 코드와 함께 작동 할 수 있습니다.
기존 보드에 응용 프로그램을 개발 중입니다. 응용 프로그램에 빈번한 데이터 (10 바이트)가 필요합니다. 내 보드에 EEPROM이 없기 때문에 외부 플래시 에뮬레이션을 EEPROM 으로 생각하고 있습니다. 우리는 외부 플래시를 가지고 있습니다. 하나라도이 에뮬레이션에서 도움이되거나 제 신청 신청서를 완전히 채우기 위해 다른 접근 방식을 제안 해주세요.
C 및 PIC 프로그래밍을 처음 사용합니다. 효율적으로 작동하지 않는 기존 코드를 수정하라는 요청을 받았습니다. 나는 약간의 객체 지향 경험만을 가지고 있기 때문에 변화를 만들고 내 자신의 알고리즘을 생각해 냈습니다. 나는 근본적인 것이 빠져 있다고 생각합니다. 여기 내 코드는 다음과 같습니다. BOOL FLASH_Init_Write(){LCD_WriteL
특정 USB 플래시 메모리가 시스템에 연결되어 있는지 확인하는 코드가 필요합니다. 내 linux 기반 시스템에 연결된 USB 플래시 메모리에서 product ID 및 serial Number과 같은 것을 가져 와서이 번호가 유효한 번호와 일치하는지 확인하고 싶습니다. 나는 또한 누군가가이 숫자를 위조 할 수있는 방법이 있는지 알고 싶다. 누군가가 잘못된 플
그래서 I've read a bit은 Android에서 실제 플래시 메모리로 외장 메모리를 사용하지만 Razr i에서 외부 메모리를 사용하는 것은 확실하지 않습니다. 나는 해킹과 기술에 익숙하지 않아서, 당신의 도움이 필요합니다. 장치에이 기능이 있는지 어떻게 알 수 있습니까? 데이터를 저장하는 데 너무 많이 사용하지 않을 것입니다. 그래서 나는 동시에 더
우리 시스템에서는 jffs2를 사용하여 커널과 initramfs를 NAND 메모리에 기록합니다. 우리는 곧 더 강력한 ECC를 사용하고자합니다. 그러나 새로운 ECC 형식은 전체 OOB 영역을 필요로하며 JFFS2에서는 작동하지 않습니다. 아직 확실하지 않지만 왜 JFFS2를 사용해야합니까? AFAIK 커널과 initramfs는 시작할 때 RAM에 복사되고
MTD 블록 장치를 사용하여 NAND 플래시 메모리에 쓰려고하는데 모든 것을 이해하지 못합니다. 제가 mtdblockNhere는 읽기/숯 장치를 기록 판독 전용 블록 장치 N mtdN 판독 같이 는 N mtdNro 유일한 문자 장치 N 를 읽어 하지만 C에서 간단한 write을 사용하여 바이트를 파티션에 직접 쓰고 싶습니다. 어떻게 이해할 수 있습니까? 그
내 소프트웨어의 메모리 사용을 최적화/감소시키고 싶습니다. 내가 바라는 접근 방법 중 하나는 중복되고 불필요한 코드를 제거하는 방법입니다. 내 소프트웨어에는 기능 사용 메커니즘을 통해 활성화/비활성화 할 수있는 많은 기능 (최대 3000 개)이 있습니다. 내가 뭘 하려는지 기능을 활용하여 RAM/플래시를 얼마나 많이 사용하는지 알아보고 가장 큰 RAM/플래
SPI 프로토콜을 처음 사용하려고합니다. 내 개발 키트 (STM32F207VCT6 마이크로 컨트롤러가있는)와 함께 제공되는 예제 코드를 이해하려고합니다. 이 코드는 AT45DB041D 플래시 메모리와의 통신 (읽기 및 쓰기)을 구현합니다. 이 예제 코드는 메모리를 읽을 때마다 읽어야 할 내용에 대한 정보를 보낼뿐만 아니라 데이터를 수신하도록 요청합니다. 이
ARM 프로세서의 Linux 부팅 프로세스에 대해 배우고 있으며 U-boot가 플래시에서 부팅 한 다음 u-boot 코드가 스택 초기화와 같은 실행 환경을 설정하기 위해 RAM을 초기화하고 모두 및 자체 위치를 재 지정한다는 것을 알았습니다. 내 질문에 누가 플래시를 초기화하여 u-boot 코드를 실행할 수 있습니까? NOR 플래시 또는 NAND 플래시에서