내부 EEPROM의 읽기/쓰기 문제 PIC24F16KA101

PIC24F16KA101 MCU의 내부 메모리와 상호 작용하려고합니다. 데이터 시트 및이 사이트에 대한 토론 (꽤 도움이되는 샘플 코드를 제공함) used in the project 이전에 썼던 값과 동일한 값을 성공적으로 읽을 수 있기 때문에 아래의 코드를 잘 작성하면됩니다. . 그러나 쓰기 후에 MCU의 플러그를 뽑고 EEPROOM의 읽기만 수행하면 기록 된 값을 반환하지 않습니다. 여기에 무슨 문제가있을 수 있습니까? 왜 내가 쓸 수 있고 성공적으로 읽을 수는 있지만 전원을 끈 후에는 읽을 수 없습니까? 도움에 대한 모든 사전에 감사 데미안내부 EEPROM의 읽기/쓰기 문제 PIC24F16KA101

int __attribute__ ((space(eedata))) ee_addr; 
void EepSetup(); 
void EepErase(void); 
int EepWrite(int index, int data); 
int EepRead(int index); 

int main(int argc, char** argv) 
{ 
    unsigned int data = 123; 
    unsigned int data_read = 0; 

    Init_UART1(); 
    UART1WriteString("START EEPROM PROGRAM \n"); 
    EepSetup(); 
    UART1WriteString("WRITING DATA TO MEMORY \n"); 
    EepWrite(1,data); 

    //if the code works, just comment the upper section and read eeprom after 
    //disconecting the power source 
    UART1WriteString("READING DATA FROM MEMORY \n"); 
    data_read = EepRead(1); 
    UART1WriteString("Value Read: "); 
    UART1WriteInt(data_read,16); 
    UART1WriteString("\n"); 
    __delay_ms(1000); 
    return (EXIT_SUCCESS); 
} 
void EepSetup(){ 
    //Disable Interrupts For 5 instructions 
    asm volatile("disi #5"); 
    //Issue Unlock Sequence 
    asm volatile("mov #0x55, W0 \n" 
    "mov W0, NVMKEY \n" 
    "mov #0xAA, W1 \n" 
    "mov W1, NVMKEY \n"); 
} 
void EepErase(void) { 
    NVMCON = 0x4050;   // Set up NVMCON to bulk erase the data EEPROM 
    asm volatile ("disi #5"); // Disable Interrupts For 5 Instructions 
    __builtin_write_NVM();  // Issue Unlock Sequence and Start Erase Cycle 
    while(_WR) 
    ; 
} 

int EepRead(int index){ 
    unsigned int offset; 

    TBLPAG = __builtin_tblpage(&ee_addr); // Initialize EE Data page pointer 
    offset = __builtin_tbloffset(&ee_addr); // Initizlize lower word of address 
    offset += index * sizeof(int); 
    return __builtin_tblrdl(offset); // read EEPROM data 
} 

int EepWrite(int index, int data){ 
    unsigned int offset; 
    NVMCON = 0x4004; // Set up NVMCON to erase one word of data EEPROM 
    TBLPAG = __builtin_tblpage(&ee_addr); // Initialize EE Data page pointer 
    offset = __builtin_tbloffset(&ee_addr); // Initizlize lower word of address 
    offset += index * sizeof(int); 
    __builtin_tblwtl(offset, data); 
    asm volatile ("disi #5"); // Disable Interrupts For 5 Instructions 
    __builtin_write_NVM();  // Issue Unlock Sequence and Start Erase Cycle 
    while(_WR); 
    return (EXIT_SUCCESS); 
}

출처

2014-11-15 Damian Miralles